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Transistors GaN/GaAs




Sumitomo Electric situé au japon est le premier fabricant de semi-conducteurs composites (GaAs, GaN, InP), qui sont largement utilisés dans les lasers à semi-conducteurs, les LED et les appareils de télécommunications mobiles. 

HEMTs  faible bruit

  • GaAs HEMTs

Petit Signaux

  • Small Signal GaAs FETs

GaN de puissance

  • • HEMT GaN haute puissance appairés en interne
    • HEMT GaN pour station de base (série F)
    • HEMT GaN pour station de base (série C)
    • HEMT GaN pour le radar
    • Amplificateurs de palette GaN HEMT pour radar
    • HEMT GaN à usage général

GaAs de Puissance

  • • MMIC pour amplificateurs de puissance en bande C à Ka (en boitier)
    • MMIC pour amplificateurs de puissance en bande C à V (puce)
    • MMIC pour amplificateurs à faible bruit en bande Ku à V
    • MMIC multiplicateurs de bande Ku à V
    • MMIC convertisseurs de bande Ku en Ka
    • MMIC pour bandes électroniques
    • FET GaAs haute puissance appairés en interne
    • FET GaAs à haute puissance
    • FET GaAs (puce)

 

 

 

ASB Inc, en tant que société de produits de classe mondiale certifiée par le gouvernement coréen, conçoit et fabrique des MMIC et des modules d'amplificateur RF avec plus de 20 ans d'expérience pour une utilisation dans les systèmes de communication sans fil et câblés.

ASB vous présente sa nouvelle gamme de transistors GaAs.

AHL5216T8

 19.8 dB Gain at 1500 MHz 20.5 dBm P1dB at 1500 MHz 36 dBm Output IP3 at 1500 MHz 0.31 dB NF at 1500MHz

AHL5218T8

 19.4 dB Gain at 2000 MHz20.5 dBm P1dB at 2000 MHz 36 dBm Output IP3 at 2000 MHz 0.37 dB NF at 2000MHz

AHL5220T8 

 18.4 dB Gain at 2500 MHz 19.0 dBm P1dB at 2500 MHz 36 dBm Output IP3 at 2500 MHz 0.42 dB NF at 2500MHz

AHL5318T8

 18.1 dB Gain at 3500 MHz 18.0 dBm P1dB at 3500 MHz 34 dBm Output IP3 at 3500 MHz 0.59 dB NF at 3500MHz

AHB3612S6

- 14.8 dB Gain at 2000 MHz 25.0 dBm OIP3 at 2000 MHz 12.5 dBm P1dB at 2000 MHz Gain flatness = 4.2 dB at 950 - 6500 MHz

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